High Temperature Material Processes (An International Quarterly of High-Technology Plasma Processes) An International Journal

ISSN for PRINT: 1093-3611

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2003, Volume7

Issue 4

176 pages

DOI: 10.1615/HighTempMatProc.v7.i4

Issue price - $144.00

M. Benmansour
Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitement de Surface − Université Pierre et Marie Curie − Paris 6 - ENSCP, 11, rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France.

M. Nikravech
Laboratoire de Genie des Precedes Plasmas et Traitement de Surfaces, Universite P. et M. Curie, Ecole Nationale Superieure de Chimie de Paris, 11 rue Pierre et Marie Curie 75005 Paris, France

S. Darwiche
Laboratoire de Genie des Procedes Plasmas et Traitement de Surface - Université Pierre et Mane Curie- ENSCP 11-13, rue Pierre et Marie Curie 75231 Paris Cedex 05 France

J. Chapelle
GREMI, Universite d'Orleans, 14 rue d'Issoudun, B.P 6744, 45067 ORLEANS, FRANCE

Daniel Morvan
Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitement de Surface − Université Pierre et Marie Curie − Paris 6 - ENSCP, 11, rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France

Jacques Amouroux
Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitement de Surface − Université Pierre et Marie Curie − Paris 6 - ENSCP, 11, rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France

Ar+H₂ RF thermal plasma spraying is used to melt, purify and hydrogenate metallurgical silicon particles in order to elaborate a thin layer for photovoltaics applications. Hydrogenation and purification phenomena have been analysed by a spectroscopic diagnostic. Transitions of excited argon, hydrogen and silicon detected have been used to calculate the electronic density, electronic temperature and silicon vapor content in the plasma flow.

DOI: 10.1615/HighTempMatProc.v7.i4.80 Download article, 535-546 pages

Article price - $35.00

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